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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种SiCMOSFET器件结构	发明专利	CN202110964351.4	CN113707626A	2021-11-26
2	一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法	发明专利	CN202110956390.X	CN113690317A	2021-11-23
3	一种自旋极化耦合的GaNMOSFET	发明专利	CN202110963314.1	CN113690208A	2021-11-23
4	一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构设计及使用方法	发明专利	CN202110964335.5	CN113690204A	2021-11-23
5	一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法	发明专利	CN202110955155.0	CN113690202A	2021-11-23
6	一种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT结构及其方法	发明专利	CN202110964333.6	CN113690194A	2021-11-23
7	一种降低导通电阻的屏蔽栅沟槽功率MOSFET结构及其制备方法	发明专利	CN201810175028.7	CN110223919A	2019-09-10
8	一种非对称MOSFET器件及其制备方法	发明专利	CN201711342250.3	CN108110058A	2018-06-01
9	一种提高耐压的半超结MOSFET结构及其制备方法	发明专利	CN201711339729.1	CN108091685A	2018-05-29
10	一种ESD保护电路	实用新型	CN201721470177.3	CN207367971U	2018-05-15

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