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  • 中芯国际

    中芯国际集成电路制造(天津)有限公司

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    • 地址:天津市西青经济开发区兴华道19号
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    • 专利信息 344
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    专利信息344

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 半导体垂直结构和半导体器件的制造方法 发明专利 CN201810036773.3 CN110047923B 2022-03-18
    2 硅通孔结构的形成方法、CIS晶圆的形成方法及CIS晶圆 发明专利 CN201810962910.6 CN110858597B 2022-03-11
    3 半导体结构及其形成方法 发明专利 CN202010815465.8 CN114078747A 2022-02-22
    4 一种半导体结构的形成方法 发明专利 CN202010748146.X CN114068391A 2022-02-18
    5 研磨盘和化学机械研磨装置 发明专利 CN201810435796.1 CN110450046B 2022-02-15
    6 LDMOS晶体管及其形成方法 发明专利 CN201710598075.8 CN109285780B 2022-02-01
    7 半导体器件及其制造方法 发明专利 CN201710344093.3 CN108878529B 2021-11-26
    8 半导体器件的制造方法 发明专利 CN201810570900.8 CN110571194B 2021-11-19
    9 一种半导体结构及其形成方法 发明专利 CN201810565371.2 CN110556299B 2021-11-16
    10 一种探针卡 发明专利 CN202010315653.4 CN113533929A 2021-10-22

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