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    上海积塔半导体有限公司

    存续
    • 邮箱:hao_xu@gtasemi.com
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    • 地址:中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云水路600号
    • 简介:-
    • 商标信息 9
    • 专利信息 83
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 2

    商标信息9

    序号 商标 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1
    G
    GTA 37类-建筑修理 40569844 商标已注册 2019-08-23 查看
    2
    G
    GTA 42类-网站服务 40564939 商标已注册 2019-08-23 查看
    3
    G
    GTA 09类-科学仪器 40560862 商标已注册 2019-08-23 查看
    4
    积塔 37类-建筑修理 37066584 商标已注册 2019-03-25 查看
    5
    G
    GTA 37类-建筑修理 37065187 商标已注册 2019-03-25 查看
    6
    G
    GTA 09类-科学仪器 35726912 商标已注册 2019-01-03 查看
    7
    积塔 09类-科学仪器 35721113 商标已注册 2019-01-03 查看
    8
    G
    GTA 42类-网站服务 35717990 商标已注册 2019-01-03 查看
    9
    积塔 42类-网站服务 35717987 商标已注册 2019-01-03 查看

    专利信息83

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 OPC检测方法、计算机设备及计算机可读存储介质 发明专利 CN202110691403.5 CN113376954B 2022-03-22
    2 碳化硅半导体器件制备方法、碳化硅半导体器件及其应用 发明专利 CN202111451571.3 CN114156184A 2022-03-08
    3 SICMOSFET器件的制备方法 发明专利 CN202111336567.2 CN114038757A 2022-02-11
    4 垂直型逻辑器件及其制备方法 发明专利 CN202111233456.9 CN113972283A 2022-01-25
    5 垂直型二维沟道逻辑器件及其制备方法 发明专利 CN202111203319.0 CN113948399A 2022-01-18
    6 垂直型逻辑器件及其制备方法 发明专利 CN202111203303.X CN113948398A 2022-01-18
    7 二维沟道器件及其制备方法 发明专利 CN202111203318.6 CN113937001A 2022-01-14
    8 IGBT器件及其制作方法 发明专利 CN202111104116.6 CN113571415B 2022-01-11
    9 IGBT器件及其制作方法 发明专利 CN202111123433.2 CN113851380A 2021-12-28
    10 IGBT器件及其制作方法 发明专利 CN202111123423.9 CN113851379A 2021-12-28

    软件著作权0

    暂无信息 暂无软件著作权

    作品著作权0

    暂无信息 暂无作品著作权

    网站备案2

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 - mail.gtasemi.com.cn 沪ICP备19035381号 企业 2021-11-02
    2 gtasemi积塔半导体邮箱官网 mail.gtasemi.com.cn 沪ICP备19035381号 企业 2019-10-29
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