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  • 华功

    江苏华功半导体有限公司

    存续
    • 官网:-
    • 地址:苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号
    • 简介:-
    • 商标信息 6
    • 专利信息 40
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 0

    商标信息6

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 图形 - 31369943 商标已注册 2018-06-04 查看
    2 图形 09类-科学仪器 22326361 商标无效 2016-12-20 查看
    3 HWAGON 09类-科学仪器 22326332 商标已注册 2016-12-20 查看
    4 图形 - 22309674 等待实质审查 2016-12-19 查看
    5 HWAGON - 22309665 商标已注册 2016-12-19 查看
    6 华功 - 22309600 商标已注册 2016-12-19 查看

    专利信息40

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种石墨盘 发明专利 CN201711063370.X CN107587118B 2020-03-03
    2 一种复合衬底及其制备方法 发明专利 CN201711063388.X CN107845569A 2018-03-27
    3 一种低导通电阻MIS凹槽栅GaN基晶体管及制备方法 发明专利 CN201711003341.4 CN107785435A 2018-03-09
    4 一种原位MIS栅结构常关型GaN基晶体管及制备方法 发明专利 CN201711113639.0 CN107706232A 2018-02-16
    5 一种GaN基p型栅HFET器件及其制备方法 发明专利 CN201711002525.9 CN107680998A 2018-02-09
    6 一种石墨盘 发明专利 CN201711063370.X CN107587118A 2018-01-16
    7 一种电镀滚筒 发明专利 CN201510410911.6 CN105063730B 2017-04-19
    8 一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法 发明专利 CN201310673040.8 CN103633134B 2016-09-14
    9 一种在陶瓷基板上利用激光加工导电通道的方法 发明专利 CN201410626931.2 CN104439724B 2016-06-29
    10 一种提高氮化镓基电流扩展的外延结构及其生长方法 发明专利 CN201310340263.2 CN103400914B 2016-06-29

    软件著作权0

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    作品著作权0

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    网站备案0

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