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    芯成半导体(上海)有限公司

    存续
    • 地址:中国(上海)自由贸易试验区锦绣东路2777弄25号1楼
    • 简介:-
    • 商标信息 2
    • 专利信息 22
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 2

    商标信息2

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 芯成 09类-科学仪器 11789281 商标已注册 2012-11-23 查看
    2 ISSSI 09类-科学仪器 886818 商标无效 1994-12-22 查看

    专利信息22

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 闪存的操作方法 发明专利 CN201610634627.1 CN106205715B 2019-06-28
    2 闪存单元的制备方法 发明专利 CN201710188414.5 CN106981493B 2018-10-23
    3 用于测试存储器件的电路和方法 发明专利 CN201310108760.X CN104078082B 2017-11-14
    4 闪存及其读取方法 发明专利 CN201410398312.2 CN104157307B 2017-09-29
    5 闪存单元的制备方法 发明专利 CN201710188414.5 CN106981493A 2017-07-25
    6 闪存的操作方法 发明专利 CN201610634627.1 CN106205715A 2016-12-07
    7 混合结构的存储器阵列及其制备方法 发明专利 CN201410284354.3 CN104037174B 2016-09-07
    8 闪存的擦除方法、读取方法及编程方法 发明专利 CN201310473408.6 CN103514954B 2016-08-17
    9 进入ASRAM芯片内部测试模式的电路 发明专利 CN201110158152.0 CN102831927B 2015-04-01
    10 进入ASRAM芯片内部测试模式的方法 发明专利 CN201110158151.6 CN102831934B 2015-03-11

    软件著作权0

    暂无信息 暂无软件著作权

    作品著作权0

    暂无信息 暂无作品著作权

    网站备案2

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 芯成半导体(上海)有限公司 www.issi.com.cn 沪ICP备18012349号 企业 2021-07-05
    2 芯成半导体(上海)有限公司 218.4.254.77 沪ICP备18012349号 企业 2020-07-06
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