商标信息2
专利信息22
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 闪存的操作方法 | 发明专利 | CN201610634627.1 | CN106205715B | 2019-06-28 |
2 | 闪存单元的制备方法 | 发明专利 | CN201710188414.5 | CN106981493B | 2018-10-23 |
3 | 用于测试存储器件的电路和方法 | 发明专利 | CN201310108760.X | CN104078082B | 2017-11-14 |
4 | 闪存及其读取方法 | 发明专利 | CN201410398312.2 | CN104157307B | 2017-09-29 |
5 | 闪存单元的制备方法 | 发明专利 | CN201710188414.5 | CN106981493A | 2017-07-25 |
6 | 闪存的操作方法 | 发明专利 | CN201610634627.1 | CN106205715A | 2016-12-07 |
7 | 混合结构的存储器阵列及其制备方法 | 发明专利 | CN201410284354.3 | CN104037174B | 2016-09-07 |
8 | 闪存的擦除方法、读取方法及编程方法 | 发明专利 | CN201310473408.6 | CN103514954B | 2016-08-17 |
9 | 进入ASRAM芯片内部测试模式的电路 | 发明专利 | CN201110158152.0 | CN102831927B | 2015-04-01 |
10 | 进入ASRAM芯片内部测试模式的方法 | 发明专利 | CN201110158151.6 | CN102831934B | 2015-03-11 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案2
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 芯成半导体(上海)有限公司 | www.issi.com.cn | 沪ICP备18012349号 | 企业 | 2021-07-05 |
2 | 芯成半导体(上海)有限公司 | 218.4.254.77 | 沪ICP备18012349号 | 企业 | 2020-07-06 |
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