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    陛通半导体设备(苏州)有限公司

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    • 地址:太仓市大连东路36号3#1-2层
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    • 作品著作权 0
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    专利信息21

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的制备方法 发明专利 CN202110745661.7 CN113481484B 2022-03-08
    2 一种往复旋转升降的化学气相沉积设备 发明专利 CN202111330342.6 CN113774360B 2022-02-11
    3 可自动开合的半导体设备 发明专利 CN202111075974.2 CN113802109A 2021-12-17
    4 一种往复旋转升降的化学气相沉积设备 发明专利 CN202111330342.6 CN113774360A 2021-12-10
    5 TEOS膜的制作方法 发明专利 CN202111010449.2 CN113667964A 2021-11-19
    6 改善深孔填充均匀性的靶材组件、溅射设备及设计方法 发明专利 CN202110932079.1 CN113637947A 2021-11-12
    7 一种真空镀膜中真空泵系统的工作方法及真空泵系统 发明专利 CN202111184329.4 CN113621936A 2021-11-09
    8 一种PVD镀膜设备 发明专利 CN202110985070.7 CN113430492B 2021-11-09
    9 可调节薄膜应力的溅射设备和方法 发明专利 CN202110978336.5 CN113416938B 2021-11-09
    10 改善填充膜均匀性的基座装置、溅射设备及溅射工艺 发明专利 CN202110935312.1 CN113388820B 2021-11-09

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