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  • 科天润

    泰科天润半导体科技(北京)有限公司

    存续
    • 地址:北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号
    • 简介:-
    • 商标信息 8
    • 专利信息 84
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 2

    商标信息8

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 图形 09类-科学仪器 47483399 商标已注册 2020-06-22 查看
    2 泰科天润 09类-科学仪器 47457263 商标已注册 2020-06-22 查看
    3 泰科天润 35类-广告销售 37414268 商标已注册 2019-04-10 查看
    4 GLOBAL POWER TECHNOLOGY 35类-广告销售 37414263 商标无效 2019-04-10 查看
    5 图形 35类-广告销售 37411102 商标无效 2019-04-10 查看
    6 图形 09类-科学仪器 10937491 商标已注册 2012-05-18 查看
    7 GLOBAL POWER TECHNOLOGY 09类-科学仪器 10937473 商标无效 2012-05-18 查看
    8 泰科天润 09类-科学仪器 10937445 商标已注册 2012-05-18 查看

    专利信息84

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种三栅SiCJFET横向器件 实用新型 CN202120317459.X CN214378461U 2021-10-08
    2 一种带屏蔽区的非对称碳化硅UMOSFET器件 实用新型 CN202120364635.5 CN214378460U 2021-10-08
    3 一种集成SBD的碳化硅UMOSFET器件 实用新型 CN202120357500.6 CN214378459U 2021-10-08
    4 一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件 实用新型 CN202120317492.2 CN214378458U 2021-10-08
    5 一种MOSFET栅源电压响应高频脉冲干扰的方法 发明专利 CN202011102502.7 CN112434401B 2021-10-08
    6 一种圆形栅功率器件的自对准p型制造方法 发明专利 CN202110733465.8 CN113436976A 2021-09-24
    7 一种具有埋层结构的深层肖特基功率器件及其制备方法 发明专利 CN202110613801.5 CN113394292A 2021-09-14
    8 双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其驱动电路 实用新型 CN202023183144.5 CN214152896U 2021-09-07
    9 一种MOSFET栅极负反馈有源驱动电路 实用新型 CN202022294764.X CN214125140U 2021-09-03
    10 一种三栅SiC JFET横向器件 发明专利 CN202110171334.5 CN113161425A 2021-07-23

    软件著作权0

    暂无信息 暂无软件著作权

    作品著作权0

    暂无信息 暂无作品著作权

    网站备案2

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 www.globalpowertech.cn 京ICP备12009206号 企业 2019-10-09
    2 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 www.globalpowertech.cn 京ICP备12009206号 企业 2019-10-09
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