商标信息8
序号 | 商标名称 | 国际分类 | 注册号 | 状态 | 申请日期 | 操作 |
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1 | 图形 | 09类-科学仪器 | 47483399 | 商标已注册 | 2020-06-22 | 查看 |
2 | 泰科天润 | 09类-科学仪器 | 47457263 | 商标已注册 | 2020-06-22 | 查看 |
3 | 泰科天润 | 35类-广告销售 | 37414268 | 商标已注册 | 2019-04-10 | 查看 |
4 | GLOBAL POWER TECHNOLOGY | 35类-广告销售 | 37414263 | 商标无效 | 2019-04-10 | 查看 |
5 | 图形 | 35类-广告销售 | 37411102 | 商标无效 | 2019-04-10 | 查看 |
6 | 图形 | 09类-科学仪器 | 10937491 | 商标已注册 | 2012-05-18 | 查看 |
7 | GLOBAL POWER TECHNOLOGY | 09类-科学仪器 | 10937473 | 商标无效 | 2012-05-18 | 查看 |
8 | 泰科天润 | 09类-科学仪器 | 10937445 | 商标已注册 | 2012-05-18 | 查看 |
专利信息84
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 一种三栅SiCJFET横向器件 | 实用新型 | CN202120317459.X | CN214378461U | 2021-10-08 |
2 | 一种带屏蔽区的非对称碳化硅UMOSFET器件 | 实用新型 | CN202120364635.5 | CN214378460U | 2021-10-08 |
3 | 一种集成SBD的碳化硅UMOSFET器件 | 实用新型 | CN202120357500.6 | CN214378459U | 2021-10-08 |
4 | 一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件 | 实用新型 | CN202120317492.2 | CN214378458U | 2021-10-08 |
5 | 一种MOSFET栅源电压响应高频脉冲干扰的方法 | 发明专利 | CN202011102502.7 | CN112434401B | 2021-10-08 |
6 | 一种圆形栅功率器件的自对准p型制造方法 | 发明专利 | CN202110733465.8 | CN113436976A | 2021-09-24 |
7 | 一种具有埋层结构的深层肖特基功率器件及其制备方法 | 发明专利 | CN202110613801.5 | CN113394292A | 2021-09-14 |
8 | 双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其驱动电路 | 实用新型 | CN202023183144.5 | CN214152896U | 2021-09-07 |
9 | 一种MOSFET栅极负反馈有源驱动电路 | 实用新型 | CN202022294764.X | CN214125140U | 2021-09-03 |
10 | 一种三栅SiC JFET横向器件 | 发明专利 | CN202110171334.5 | CN113161425A | 2021-07-23 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案2
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 | www.globalpowertech.cn | 京ICP备12009206号 | 企业 | 2019-10-09 |
2 | 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 | www.globalpowertech.cn | 京ICP备12009206号 | 企业 | 2019-10-09 |
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