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官网： www.huatai-elec.com

地址：中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区星湖街328号创意产业园10-1F

知识产权115

商标信息 29
专利信息 79
软件著作权 0
作品著作权 0
网站备案 7

商标信息29

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	龙驰微芯	09类-科学仪器	62981232	等待实质审查	2022-03-02	查看
2	龙驰微	35类-广告销售	62981229	等待实质审查	2022-03-02	查看
3	LOONG SEMI	09类-科学仪器	62979399	商标申请中	2022-03-02	查看
4	龙驰集昕	35类-广告销售	62977466	等待实质审查	2022-03-02	查看
5	龙驰微	09类-科学仪器	62976317	等待实质审查	2022-03-02	查看
6	龙驰芯创	35类-广告销售	62967978	等待实质审查	2022-03-02	查看
7	龙驰芯创	09类-科学仪器	62966816	等待实质审查	2022-03-02	查看
8	龙驰集昕	09类-科学仪器	62965242	等待实质审查	2022-03-02	查看
9	LONGCHI SEMI	35类-广告销售	62964763	等待实质审查	2022-03-02	查看
10	龙驰创芯	35类-广告销售	62962805	等待实质审查	2022-03-02	查看

专利信息79

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种双管芯合封的共源共栅GaN功率器件	实用新型	CN202122725392.6	CN216084887U	2022-03-18
2	一种射频LDMOS器件及其制作工艺	发明专利	CN202010913893.4	CN114141735A	2022-03-04
3	一种射频LDMOS集成器件	发明专利	CN202010905406.X	CN114122134A	2022-03-01
4	应用于射频放大的RFLDMOS器件及其制作方法	发明专利	CN202010877677.9	CN114122131A	2022-03-01
5	射频功率芯片封装结构	实用新型	CN202122461581.7	CN215815875U	2022-02-11
6	芯片封装结构与电子器件	发明专利	CN202111276191.0	CN114023730A	2022-02-08
7	碳化硅器件的栅氧化层的制备方法与碳化硅器件	发明专利	CN202111276192.5	CN114023633A	2022-02-08
8	高迁移率的p型多晶硅栅LDMOS器件及其制作方法	发明专利	CN202010707870.8	CN113964190A	2022-01-21
9	半导体工艺以及半导体结构	发明专利	CN202111147872.7	CN113948446A	2022-01-18
10	图形化SOILDMOS器件结构	实用新型	CN202122099659.5	CN215418189U	2022-01-04

共 8 页

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暂无软件著作权

作品著作权0

暂无信息

暂无作品著作权

网站备案7

序号	网站名	网址	备案号	主办单位性质	审核日期
1	苏州华太电子技术有限公司	www.huatai-elec.com	苏ICP备14050435号	企业	2021-08-25
2	苏州华太电子技术有限公司	www.huatai-elec.com	苏ICP备14050435号	企业	2021-08-25
3	华太电子	www.watechelectronics.com	苏ICP备14050435号	企业	2021-08-12
4	华太电子	www.watechelectronics.com	苏ICP备14050435号	企业	2021-08-12
5	华太电子	www.watechelectronics.com	苏ICP备14050435号	企业	2021-07-23
6	苏州华太电子技术有限公司	www.huatai-elec.com	苏ICP备14050435号	企业	2021-06-29
7	苏州华太电子技术有限公司	www.huatai-elec.com	苏ICP备14050435号	企业	2019-05-21

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