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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	耐高温低功耗的SiC MOSFET功率器件的制备方法及其结构	发明专利	CN201711397848.2	CN108257856B	2019-05-24
2	一种SiC结势垒肖特基二极管及其制造方法	发明专利	CN201811288687.8	CN109461768A	2019-03-12
3	一种无注入型终结端结构的SiC肖特基二极管及其制备方法	发明专利	CN201811064324.6	CN109461654A	2019-03-12
4	一种碳化硅器件制造方法	发明专利	CN201811288664.7	CN109461648A	2019-03-12
5	一种SiCMOSFET栅氧化层退火方法	发明专利	CN201811288681.0	CN109461646B	2019-03-12
6	一种SiC MOSFET栅氧化层退火方法	发明专利	CN201811288681.0	CN109461646A	2019-03-12
7	一种抗浪涌能力增强型的4H-SiC肖特基二极管及其制备方法	发明专利	CN201811063584.1	CN109449085A	2019-03-08
8	SiC沟槽MOS器件及其制作方法	发明专利	CN201811288730.0	CN109411546A	2019-03-01
9	一种SiC MOSFET栅氧化层退火方法	发明专利	CN201811290893.2	CN109411343A	2019-03-01
10	一种碳化硅沟槽刻蚀方法	发明专利	CN201811288688.2	CN109411342A	2019-03-01

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