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商标信息 4
专利信息 35
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商标信息4

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	Z	09类-科学仪器	22428878	商标已注册	2016-12-28	查看
2	真茂佳	09类-科学仪器	22428877	撤销/无效宣告申请审查中	2016-12-28	查看
3	ZMJSEMI	09类-科学仪器	22428839	商标已注册	2016-12-28	查看
4	真茂佳 ZMJSEMI Z	09类-科学仪器	22428829	商标已注册	2016-12-28	查看

专利信息35

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	多源MOS管共用栅极电荷平衡芯片结构及其制造方法	发明专利	CN202111093115.6	CN113851524B	2022-06-14
2	多栅极变化的场效晶体管结构及其制造方法、芯片装置	发明专利	CN202110486545.8	CN113224133B	2022-05-17
3	多源MOS管共用栅极的芯片结构及其制造方法	发明专利	CN202111006493.6	CN113725300B	2022-04-26
4	嵌埋式栅极顶面接触的场效晶体管结构及其制造方法	发明专利	CN202110530881.8	CN113284944B	2022-03-18
5	一种SiCMOSFET器件	实用新型	CN202122378964.8	CN215933613U	2022-03-01
6	一种SiCMOSFET器件	实用新型	CN202122375899.3	CN215933612U	2022-03-01
7	氮化镓HEMT芯片整合封装结构与电子装置	实用新型	CN202121863305.7	CN215933565U	2022-03-01
8	一种VDMOS芯片及其电路应用结构	实用新型	CN202122088554.X	CN215896409U	2022-02-22
9	多槽间嵌埋柵极的场效晶体管结构及其制造方法	发明专利	CN202110701212.2	CN113437153B	2022-02-22
10	功率半导体散热封装结构与电子装置	实用新型	CN202122173610.X	CN215869372U	2022-02-18

软件著作权0

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作品著作权0

暂无信息

暂无作品著作权

网站备案2

序号	网站名	网址	备案号	主办单位性质	审核日期
1	深圳真茂佳半导体有限公司	www.zmjsemi.com	粤ICP备20036679号	企业	2020-05-09
2	-	www.zmjsemi.com	粤ICP备20036679号	企业	2020-05-09

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