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  • 森未科技

    成都森未科技有限公司

    存续
    • 地址:中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号6栋4层405号
    • 简介:-
    • 商标信息 16
    • 专利信息 20
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 2

    商标信息16

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 ROBOTOOL 09类-科学仪器 56067220 等待实质审查 2021-05-14 查看
    2 工书班 09类-科学仪器 56060963 等待实质审查 2021-05-14 查看
    3 FASWI 35类-广告销售 51644463 初审公告 2020-11-26 查看
    4 FASWITCH 09类-科学仪器 51634240 初审公告 2020-11-26 查看
    5 FASWI 09类-科学仪器 51631454 初审公告 2020-11-26 查看
    6 FORESTURE 09类-科学仪器 51627131 初审公告 2020-11-26 查看
    7 SEMI-FUTURE 35类-广告销售 51621330 初审公告 2020-11-26 查看
    8 SEMI FUTURE 09类-科学仪器 51619129 初审公告 2020-11-26 查看
    9 FASWITCH 35类-广告销售 51619127 等待实质审查 2020-11-26 查看
    10 FORESTURE 35类-广告销售 51611535 初审公告 2020-11-26 查看

    专利信息20

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种IGBT模块用的DBC结构 实用新型 CN202020989365.2 CN211879386U 2020-11-06
    2 基于一种DBC布局的集成IGBT封装结构 实用新型 CN202020989391.5 CN211879383U 2020-11-06
    3 一种浮空区间隔开孔的IGBT版图结构 实用新型 CN202020383144.0 CN211455692U 2020-09-08
    4 一种提高开启可控性的IGBT器件结构 实用新型 CN202020383033.X CN211455691U 2020-09-08
    5 一种提高IGBT开启可控性的元胞结构 实用新型 CN202020383035.9 CN211455689U 2020-09-08
    6 基于一种DBC布局的集成IGBT封装结构 发明专利 CN202010493508.5 CN111627899A 2020-09-04
    7 一种沟槽型器件及其制备方法 发明专利 CN202010211835.7 CN111370473A 2020-07-03
    8 一种深沟槽绝缘栅极器件及其制备方法 发明专利 CN202010211838.0 CN111354788A 2020-06-30
    9 一种降低输入电容的半导体器件 实用新型 CN201822005167.3 CN209389000U 2019-09-13
    10 一种沟槽接发射极的功率半导体器件版图结构 实用新型 CN201822023719.3 CN209357729U 2019-09-06

    软件著作权0

    暂无信息 暂无软件著作权

    作品著作权0

    暂无信息 暂无作品著作权

    网站备案2

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 森未科技 www.fusemi.cn 蜀ICP备17033252号 企业 2017-09-28
    2 森未科技 www.fusemi.cn 蜀ICP备17033252号 企业 2017-09-28
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