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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	不同偏角度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法	发明专利	CN202111179012.1	CN113981523A	2022-01-28
2	一种VB法与VGF法结合快速生长低位错砷化镓单晶的生长装置及方法	发明专利	CN202111222796.1	CN113957537A	2022-01-21
3	低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法	发明专利	CN202111065459.6	CN113913939A	2022-01-11
4	一种用于VGF磷化铟单晶生长炉内的炉芯	实用新型	CN202121613081.4	CN215328462U	2021-12-28
5	一种VGF法生长磷化铟单晶的方法	发明专利	CN202110802948.9	CN113638048A	2021-11-12
6	碳化硅单晶生长中废料的回收处理方法	发明专利	CN202110911820.6	CN113564712A	2021-10-29
7	一种新型碳化硅粉料合成用的坩埚	实用新型	CN202120557611.1	CN214406949U	2021-10-15
8	一种碳化硅晶体的高温二次退火方法	发明专利	CN202110459963.8	CN113174638A	2021-07-27
9	一种VGF法生长单晶的循环水温控装置	实用新型	CN202022378186.8	CN213507286U	2021-06-22
10	一种VGF法生长单晶的单晶炉结构	实用新型	CN202022367535.6	CN213507285U	2021-06-22

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