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    深圳基本半导体有限公司

    存续
    • 地址:深圳市坪山区坑梓街道办事处秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋201
    • 简介:-
    • 商标信息 17
    • 专利信息 83
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 3

    商标信息17

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 BASIC - 64698945 等待实质审查 2022-05-18 查看
    2 基本半导 - 63042704 商标申请中 2022-03-04 查看
    3 PCORE 09类-科学仪器 55754449 商标已注册 2021-04-30 查看
    4 PCELL 09类-科学仪器 55742250 商标已注册 2021-04-30 查看
    5 P²CELL 09类-科学仪器 55741619 初审公告 2021-04-30 查看
    6 图形 09类-科学仪器 52330309 商标已注册 2020-12-21 查看
    7 碳小硅 09类-科学仪器 52316709 商标无效 2020-12-21 查看
    8 BASICSEMI 09类-科学仪器 49896129 商标已注册 2020-09-20 查看
    9 图形 09类-科学仪器 49894292 商标已注册 2020-09-20 查看
    10 BASIC SEMICONDUCTOR 09类-科学仪器 33567298 商标无效 2018-09-17 查看

    专利信息83

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种碳化硅MCT器件及其制造方法与应用 发明专利 CN202210230641.0 CN114744032A 2022-07-12
    2 一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制造方法与应用 发明专利 CN202210231554.7 CN114744019A 2022-07-12
    3 一种功率半导体器件的场限环终端结构及制备方法 发明专利 CN202210168633.8 CN114725185A 2022-07-08
    4 一种复合烧结片及其制备和在芯片互连封装中的应用 发明专利 CN202210174437.1 CN114709184A 2022-07-05
    5 一种功率模块封装用的高导热性复合材料及其制备方法 发明专利 CN202210089237.6 CN114702782A 2022-07-05
    6 一种SiCLDMOS器件及其制作方法 发明专利 CN202111129313.3 CN113782611B 2022-06-14
    7 封装结构及应用该封装结构的功率模块 发明专利 CN202210039463.3 CN114597183A 2022-06-07
    8 一种自支撑纳米金属片及封装方法 发明专利 CN202111593880.4 CN114388466A 2022-04-22
    9 一种翘曲度测量装置 发明专利 CN202011102068.2 CN114370811A 2022-04-19
    10 一种复合场限环终端结构及制备方法 发明专利 CN202111565959.6 CN114335141A 2022-04-12

    软件著作权0

    暂无信息 暂无软件著作权

    作品著作权0

    暂无信息 暂无作品著作权

    网站备案3

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 深圳基本半导体有限公司 www.basicsemi.com 粤ICP备20017456号 企业 2020-03-18
    2 深圳基本半导体有限公司 www.basicsemi.com 粤ICP备20017456号 企业 2020-03-18
    3 - www.basicsemi.com 粤ICP备20017456号 企业 2020-03-18
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