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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	具有反射结构的红光二极管芯片及其制备方法	发明专利	CN202110529994.6	CN113488566A	2021-10-08
2	紫外发光二极管外延片及其制备方法	发明专利	CN202010970745.6	CN112289900B	2021-10-08
3	紫外发光二极管外延片及其制备方法	发明专利	CN202010970745.6	CN112289900A	2021-10-08
4	发光二极管外延片的生长方法	发明专利	CN202011061544.0	CN112186080B	2021-10-08
5	微型发光二极管外延片的生长方法	发明专利	CN202011040907.2	CN112164739B	2021-10-08
6	一种发光二极管外延片及其制备方法	发明专利	CN202010226988.9	CN111554785B	2021-10-08
7	等离子刻蚀承载装置及等离子刻蚀机	发明专利	CN201910506050.X	CN110299278B	2021-10-08
8	一种发光二极管外延片及其制备方法	发明专利	CN201811287337.X	CN109509817B	2021-10-08
9	一种发光二极管外延片及其制造方法	发明专利	CN201811062243.2	CN109449264B	2021-10-08
10	具有双层布拉格反射镜的发光二极管芯片及其制备方法	发明专利	CN202110480400.7	CN113410349A	2021-09-17

共 48 页

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序号	网站名	网址	备案号	主办单位性质	审核日期
1	华灿邮箱	221.224.124.2	苏ICP备20046288号	企业	2021-08-16
2	华灿邮箱	221.224.124.2	苏ICP备20046288号	企业	2020-08-04

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