商标信息6
专利信息70
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 一种生长薄层高阻硅外延片的方法及所制得的外延片 | 发明专利 | CN202110883682.5 | CN113322513A | 2021-08-31 |
2 | 一种提高外延片过渡区一致性的工艺方法 | 发明专利 | CN202110883669.X | CN113322512A | 2021-08-31 |
3 | 一种桶式外延炉基座旋转同心度监控装置 | 实用新型 | CN202021552729.7 | CN212659531U | 2021-03-05 |
4 | 一种200mm肖特基管用掺磷硅外延片的制备方法 | 发明专利 | CN201810245132.9 | CN108428630B | 2021-01-01 |
5 | 一种半导体处理装置、处理方法及应用 | 发明专利 | CN202010877684.9 | CN112002660A | 2020-11-27 |
6 | 一种软性吸盘装置 | 实用新型 | CN202020062321.5 | CN211812264U | 2020-10-30 |
7 | 一种石英罩小孔盖板组件 | 实用新型 | CN202020061593.3 | CN211645444U | 2020-10-09 |
8 | 一种硅外延设备加热系统运行状态监测装置及监测方法 | 发明专利 | CN202010362091.9 | CN111524837A | 2020-08-11 |
9 | 一种背照式BIB红外探测器硅外延片的制造方法 | 发明专利 | CN202010106370.9 | CN111384212A | 2020-07-07 |
10 | 一种SOI作为衬底的晶圆外延制造方法 | 发明专利 | CN202010031562.8 | CN111199882A | 2020-05-26 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案2
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 南京国盛电子有限公司 | www.gs-epi.com | 苏ICP备16048483号 | 企业 | 2016-09-27 |
2 | 南京国盛电子有限公司 | www.gs-epi.com | 苏ICP备16048483号 | 企业 | 2016-09-27 |
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