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  • 国盛电子

    南京国盛电子有限公司

    存续
    • 地址:南京江宁经济技术开发区正方中路166号
    • 简介:-
    • 商标信息 6
    • 专利信息 70
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 2

    商标信息6

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 国盛 09类-科学仪器 14258020 商标已注册 2014-03-27 查看
    2 图形 09类-科学仪器 14258019 商标已注册 2014-03-27 查看
    3 图形 16类-办公用品 14258018 商标已注册 2014-03-27 查看
    4 图形 42类-网站服务 14258017 商标已注册 2014-03-27 查看
    5 国盛 09类-科学仪器 4273186 商标已注册 2004-09-17 查看
    6 GS;GSE 09类-科学仪器 4273185 商标已注册 2004-09-17 查看

    专利信息70

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种生长薄层高阻硅外延片的方法及所制得的外延片 发明专利 CN202110883682.5 CN113322513A 2021-08-31
    2 一种提高外延片过渡区一致性的工艺方法 发明专利 CN202110883669.X CN113322512A 2021-08-31
    3 一种桶式外延炉基座旋转同心度监控装置 实用新型 CN202021552729.7 CN212659531U 2021-03-05
    4 一种200mm肖特基管用掺磷硅外延片的制备方法 发明专利 CN201810245132.9 CN108428630B 2021-01-01
    5 一种半导体处理装置、处理方法及应用 发明专利 CN202010877684.9 CN112002660A 2020-11-27
    6 一种软性吸盘装置 实用新型 CN202020062321.5 CN211812264U 2020-10-30
    7 一种石英罩小孔盖板组件 实用新型 CN202020061593.3 CN211645444U 2020-10-09
    8 一种硅外延设备加热系统运行状态监测装置及监测方法 发明专利 CN202010362091.9 CN111524837A 2020-08-11
    9 一种背照式BIB红外探测器硅外延片的制造方法 发明专利 CN202010106370.9 CN111384212A 2020-07-07
    10 一种SOI作为衬底的晶圆外延制造方法 发明专利 CN202010031562.8 CN111199882A 2020-05-26

    软件著作权0

    暂无信息 暂无软件著作权

    作品著作权0

    暂无信息 暂无作品著作权

    网站备案2

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 南京国盛电子有限公司 www.gs-epi.com 苏ICP备16048483号 企业 2016-09-27
    2 南京国盛电子有限公司 www.gs-epi.com 苏ICP备16048483号 企业 2016-09-27
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