商标信息2
专利信息39
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法 | 发明专利 | CN202111463623.9 | CN114203872A | 2022-03-18 |
2 | 一种降低工作电压的深紫外LED芯片及其制备方法 | 发明专利 | CN202111518389.5 | CN114203869A | 2022-03-18 |
3 | 具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外芯片及其制备方法 | 发明专利 | CN202111517390.6 | CN114203868A | 2022-03-18 |
4 | 一种双层光子晶体结构的倒装深紫外LED及其制备方法 | 发明专利 | CN202010216331.4 | CN111312877B | 2022-02-22 |
5 | 一种具有组分渐变量子阱结构的深紫外LED及制备方法 | 发明专利 | CN202011196368.1 | CN112382708B | 2022-01-28 |
6 | 一种具有原位V型纳米孔结构的深紫外LED及其制备方法 | 发明专利 | CN202011057376.8 | CN112242466B | 2022-01-28 |
7 | 一种具有空穴蓄积结构的深紫外LED及其制备方法 | 发明专利 | CN202011052851.2 | CN112242464B | 2022-01-28 |
8 | 一种无裂纹AlN外延膜及其制备方法 | 发明专利 | CN202111129485.0 | CN113897676A | 2022-01-07 |
9 | 一种具有隧穿结构的深紫外LED及其制备方法 | 发明专利 | CN202111076064.6 | CN113809211A | 2021-12-17 |
10 | 一种具有自组装模板的AlGaN复合薄膜及其制备方法 | 发明专利 | CN202010830369.0 | CN112086543B | 2021-11-26 |
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