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商标信息 9
专利信息 12
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商标信息9

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	IVSEMITEC	-	56276352	初审公告	2021-05-21	查看
2	乾晶半导体	-	56273646	商标已注册	2021-05-21	查看
3	乾晶半导体	-	56273636	初审公告	2021-05-21	查看
4	图形	-	56260304	等待实质审查	2021-05-21	查看
5	IVSEMITEC	-	56256409	初审公告	2021-05-21	查看
6	图形	-	56255546	等待实质审查	2021-05-21	查看
7	乾晶半导体	-	56252742	商标已注册	2021-05-21	查看
8	图形	-	56246498	等待实质审查	2021-05-21	查看
9	IVSEMITEC	-	56246482	商标已注册	2021-05-21	查看

专利信息12

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种碳化硅晶圆	实用新型	CN202122627593.2	CN216773241U	2022-06-17
2	一种保护碳化硅籽晶背封层的方法	发明专利	CN202210260433.5	CN114622174A	2022-06-14
3	一种用于剥离晶片的激光加工方法、装置	发明专利	CN202210315631.7	CN114473188A	2022-05-13
4	一种碳化硅籽晶重复循环利用的方法、装置	发明专利	CN202210377781.0	CN114457425A	2022-05-10
5	一种SiC衬底双脉冲飞秒激光切片的方法	发明专利	CN202210238596.3	CN114453770A	2022-05-10
6	一种用于剥离晶锭的激光加工装置及控制系统	实用新型	CN202121861064.2	CN216370674U	2022-04-26
7	一种固定碳化硅籽晶的装置	实用新型	CN202120913417.2	CN216006087U	2022-03-11
8	标记碳化硅晶圆碳硅极性面的方法及对应的碳化硅晶圆	发明专利	CN202111271477.X	CN114121619A	2022-03-01
9	一种生长碳化硅单晶的坩埚结构	实用新型	CN202120915874.5	CN214830783U	2021-11-23
10	一种制备半绝缘碳化硅单晶的装置	实用新型	CN202120944141.4	CN214736217U	2021-11-16

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网站备案1

序号	网站名	网址	备案号	主办单位性质	审核日期
1	-	www.ivsemitec.com	浙ICP备2021023333号	企业	2021-07-27

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