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商标信息 28
专利信息 49
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商标信息28

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	SILICON MAGIC	-	63811693	等待实质审查	2022-04-07	查看
2	SILICON MAGIC	-	63811653	等待实质审查	2022-04-07	查看
3	SILICON MAGIC	-	63806322	等待实质审查	2022-04-07	查看
4	图形	-	62996048	等待实质审查	2022-03-03	查看
5	图形	-	62984032	等待实质审查	2022-03-03	查看
6	图形	-	62978184	等待驳回复审	2022-03-02	查看
7	图形	-	62952477	等待实质审查	2022-03-02	查看
8	芯迈半导体	-	60797136	初审公告	2021-11-22	查看
9	SILICON MAGIC	-	60793453	驳回复审中	2021-11-22	查看
10	芯迈	-	60774956	初审公告	2021-11-22	查看

专利信息49

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	分离栅MOSFET及其制造方法	发明专利	CN202111635879.3	CN114678276A	2022-06-28
2	分离栅MOSFET及其制造方法	发明专利	CN202111635852.4	CN114678275A	2022-06-28
3	沟槽型功率器件及其制造方法	发明专利	CN202111652594.0	CN114512545A	2022-05-17
4	一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法	发明专利	CN202210155406.1	CN114496801A	2022-05-13
5	一种制造沟槽MOSFET的方法	发明专利	CN202210380606.7	CN114496762A	2022-05-13
6	沟槽型功率器件的制造方法	发明专利	CN202111648832.0	CN114429906A	2022-05-03
7	碳化硅功率半导体器件结构	发明专利	CN202111197940.0	CN114203820A	2022-03-18
8	提升耐压工艺窗口的超结器件	发明专利	CN202111487782.2	CN113889525B	2022-03-18
9	金属氧化物半导体器件与其制作方法	发明专利	CN202111427488.2	CN114171577A	2022-03-11
10	分离栅功率MOS器件及其制造方法	发明专利	CN202110975073.2	CN114156183A	2022-03-08

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