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商标信息 8
专利信息 28
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商标信息8

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	SHGME	-	30490898	商标已注册	2018-04-25	查看
2	擎茂微电子	-	30407772	商标已注册	2018-04-20	查看
3	擎茂微	-	30407726	商标已注册	2018-04-20	查看
4	图形	-	30406029	商标已注册	2018-04-20	查看
5	擎茂微电子	-	30404463	商标已注册	2018-04-20	查看
6	擎茂微电子	-	30396856	商标已注册	2018-04-20	查看
7	擎茂微	-	30392754	商标已注册	2018-04-20	查看
8	擎茂微	-	30391325	商标已注册	2018-04-20	查看

专利信息28

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种鲁棒性高的半导体装置及其制备方法	发明专利	CN202110399546.9	CN113130628A	2021-07-16
2	一种可靠性改善型半导体器件	发明专利	CN202110258725.0	CN113035933A	2021-06-25
3	一种防止表面金属层脱焊的半导体装置及其制造方法	发明专利	CN202011415145.X	CN112542435A	2021-03-23
4	一种用于制备半导体器件的晶圆及晶圆的背面减薄方法	发明专利	CN202010992591.0	CN111987146A	2020-11-24
5	一种导通均匀性高的半导体功率器件	发明专利	CN202010473658.X	CN111640717A	2020-09-08
6	一种低应力的半导体芯片	发明专利	CN202010348049.1	CN111508956A	2020-08-07
7	一种反向恢复特性好的RC-IGBT芯片及其制造方法	发明专利	CN202010165552.3	CN111430453A	2020-07-17
8	一种RC-IGBT芯片及其制造方法	发明专利	CN202010031299.2	CN111211168A	2020-05-29
9	一种高性能的绝缘栅双极型晶体管结构	实用新型	CN201921553297.9	CN210607266U	2020-05-22
10	一种改善击穿特性的平面栅双极型晶体管结构	实用新型	CN201921552313.2	CN210607265U	2020-05-22

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作品著作权1

序号	作品名	作品类别	登记号	创作完成日期	首次发表日期	登记批准日期
1	擎茂微	-	国作登字-2018-F-00562653	-	2017	2018

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