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  • 英诺赛科

    英诺赛科(苏州)科技有限公司

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    • 地址:苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号
    • 简介:-
    • 商标信息 0
    • 专利信息 57
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    • 作品著作权 0
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    专利信息57

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 氮化物基半导体装置及其制造方法 发明专利 CN202180003944.2 CN114207840A 2022-03-18
    2 氮基半导体器件及其制造方法 发明专利 CN202180003499.X CN114207837A 2022-03-18
    3 半导体装置及其制造方法 发明专利 CN202180004519.5 CN114207835A 2022-03-18
    4 氮化物基半导体装置以及其制造方法 发明专利 CN202180004419.2 CN114207833A 2022-03-18
    5 基于氮化物的半导体装置和其制造方法 发明专利 CN202180004254.9 CN114207818A 2022-03-18
    6 半导体器件和其制造方法 发明专利 CN202180004467.1 CN114175273A 2022-03-11
    7 氮化物基半导体装置以及其制造方法 发明专利 CN202180004172.4 CN114175269A 2022-03-11
    8 氮化物基半导体装置及其制造方法 发明专利 CN202180004637.6 CN114175268A 2022-03-11
    9 半导体器件及其制造方法 发明专利 CN202180004429.6 CN114175267A 2022-03-11
    10 氮化物半导体器件及其制造方法 发明专利 CN202180004439.X CN114175236A 2022-03-11

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