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  • 环鑫科技

    TCL环鑫半导体(天津)有限公司

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    • 地址:天津市华苑产业区(环外)海泰东路12号A座二层
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    专利信息141

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种片上变压器及其制作工艺 发明专利 CN202110873025.2 CN113517111A 2021-10-19
    2 一种沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法 发明专利 CN201710669358.7 CN109390231B 2021-10-08
    3 一种GPP玻钝工艺方法 发明专利 CN201710615708.1 CN109309018B 2021-10-08
    4 一种单向TVS芯片玻钝前二次扩散工艺 发明专利 CN201711057754.0 CN109755112B 2021-09-07
    5 一种硅片玻钝前液态源扩散工艺 发明专利 CN201710615672.7 CN109309142B 2021-09-07
    6 一种调节扩散气氛的一次扩散工艺 发明专利 CN201711057793.0 CN109755113B 2021-08-10
    7 一种调节扩散气氛的一次扩散工艺 发明专利 CN201711057793.0 CN109755113A 2021-08-10
    8 一种硅片激光与碱液结合制绒工艺 发明专利 CN201711059127.0 CN109755102B 2021-08-10
    9 一种硅片激光与酸液结合制绒工艺 发明专利 CN201711057483.9 CN109755098B 2021-08-10
    10 一种硅片镀镍银的工艺 发明专利 CN201710615643.0 CN109306481B 2021-08-10

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