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  • 伟特森

    重庆伟特森电子科技有限公司

    存续
    • 地址:重庆市北碚区云汉大道117号附237号
    • 简介:-
    • 商标信息 4
    • 专利信息 29
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 1

    商标信息4

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 WATTSCIENCE 09类-科学仪器 39888501 商标已注册 2019-07-24 查看
    2 图形 09类-科学仪器 39888491 商标已注册 2019-07-24 查看
    3 WTS 09类-科学仪器 34270636 商标无效 2018-10-25 查看
    4 WT 09类-科学仪器 32103692 商标已注册 2018-07-06 查看

    专利信息29

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种半导体器件终端结构及制备方法 发明专利 CN202111197173.3 CN113948491A 2022-01-18
    2 一种碳化硅半导体器件的制作方法 发明专利 CN202110908129.2 CN113643970A 2021-11-12
    3 一种消除或减少局部热应力的芯片 实用新型 CN202121124632.0 CN214588864U 2021-11-02
    4 一种沟槽型碳化硅晶体管及其制备方法 发明专利 CN202110672504.8 CN113506826A 2021-10-15
    5 一种积累型沟道结构的T-gate沟槽碳化硅晶体管及其制作方法 发明专利 CN202110568683.0 CN113299748A 2021-08-24
    6 一种用皮秒激光照射制备碳化硅结构的方法 发明专利 CN201910501481.7 CN112071740A 2020-12-11
    7 一种碳化硅二极管元胞结构 实用新型 CN201922270391.X CN211719595U 2020-10-20
    8 一种结势垒肖特基结构的二极管 实用新型 CN201922355717.9 CN211629119U 2020-10-02
    9 一种沟槽型SiCIGBT结构及其制备方法 发明专利 CN202010306447.7 CN111490098A 2020-08-04
    10 一种沟槽转角处具有厚栅氧化层的SiC-MOSFET栅的制备方法 发明专利 CN202010307604.6 CN111489963A 2020-08-04

    软件著作权0

    暂无信息 暂无软件著作权

    作品著作权0

    暂无信息 暂无作品著作权

    网站备案1

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 重庆伟特森科技有限公司 www.wattscience.com.cn 渝ICP备18007527号 企业 2018-06-04
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