商标信息4
专利信息29
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 一种半导体器件终端结构及制备方法 | 发明专利 | CN202111197173.3 | CN113948491A | 2022-01-18 |
2 | 一种碳化硅半导体器件的制作方法 | 发明专利 | CN202110908129.2 | CN113643970A | 2021-11-12 |
3 | 一种消除或减少局部热应力的芯片 | 实用新型 | CN202121124632.0 | CN214588864U | 2021-11-02 |
4 | 一种沟槽型碳化硅晶体管及其制备方法 | 发明专利 | CN202110672504.8 | CN113506826A | 2021-10-15 |
5 | 一种积累型沟道结构的T-gate沟槽碳化硅晶体管及其制作方法 | 发明专利 | CN202110568683.0 | CN113299748A | 2021-08-24 |
6 | 一种用皮秒激光照射制备碳化硅结构的方法 | 发明专利 | CN201910501481.7 | CN112071740A | 2020-12-11 |
7 | 一种碳化硅二极管元胞结构 | 实用新型 | CN201922270391.X | CN211719595U | 2020-10-20 |
8 | 一种结势垒肖特基结构的二极管 | 实用新型 | CN201922355717.9 | CN211629119U | 2020-10-02 |
9 | 一种沟槽型SiCIGBT结构及其制备方法 | 发明专利 | CN202010306447.7 | CN111490098A | 2020-08-04 |
10 | 一种沟槽转角处具有厚栅氧化层的SiC-MOSFET栅的制备方法 | 发明专利 | CN202010307604.6 | CN111489963A | 2020-08-04 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案1
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 重庆伟特森科技有限公司 | www.wattscience.com.cn | 渝ICP备18007527号 | 企业 | 2018-06-04 |
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