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官网： xfabsemi.cn

地址：中国(福建)自由贸易试验区厦门片区港中路1694号万翔国际商务中心2#南楼第7层第704、705、706单元

商标信息 9
专利信息 58
软件著作权 0
作品著作权 0
网站备案 2

商标信息9

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	芯一代	35类-广告销售	39409157	商标已注册	2019-07-03	查看
2	芯一代	09类-科学仪器	39401742	商标已注册	2019-07-03	查看
3	芯一代	42类-网站服务	39393112	商标已注册	2019-07-03	查看
4	XYDS	35类-广告销售	35304648	商标无效	2018-12-13	查看
5	XYDS	42类-网站服务	35291165	商标已注册	2018-12-13	查看
6	XYDS	09类-科学仪器	35289631	等待实质审查	2018-12-13	查看
7	XYDFAB	35类-广告销售	30407739	商标已注册	2018-04-20	查看
8	XYDFAB	42类-网站服务	30397804	商标已注册	2018-04-20	查看
9	XYDFAB	09类-科学仪器	30386461	商标已注册	2018-04-20	查看

专利信息58

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构及其使用方法	发明专利	CN202110961862.0	CN113690203A	2021-11-23
2	具有复合保护层的分裂栅功率半导体功率器件及制备方法	发明专利	CN202110950001.2	CN113690199A	2021-11-23
3	一种可多次外延的超结功率MOSFET结构及使用方法	发明专利	CN202110956734.7	CN113690196A	2021-11-23
4	一种具有外部缓冲保护结构的双极晶体管及使用方法	发明专利	CN202110950003.1	CN113690193A	2021-11-23
5	一种全自对准的槽栅绝缘栅双极晶体管及其制备方法	发明专利	CN202110955619.8	CN113690191A	2021-11-23
6	一种具有分级缓冲层的VDMOS半导体功率器件及使用方法	发明专利	CN202110951288.0	CN113685484A	2021-11-23
7	一种新型的高压槽栅MOS器件	实用新型	CN202121123899.8	CN214672630U	2021-11-09
8	一种新型的高压VDMOS器件	实用新型	CN202120636868.6	CN214542246U	2021-10-29
9	一种新型的槽栅型MOS器件	实用新型	CN202120653161.6	CN214279987U	2021-09-24
10	一种基于SIC的高压VDMOS器件	实用新型	CN202120376880.8	CN214203695U	2021-09-14

共 6 页

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作品著作权0

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序号	网站名	网址	备案号	主办单位性质	审核日期
1	-	www.xfabsemi.com	闽ICP备17020005号	企业	2017-08-08
2	-	www.xfabsemi.com	闽ICP备17020005号	企业	2017-08-08

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