商标信息3
专利信息245
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 一种SGT MOSFET器件及其接触孔的制造方法 | 发明专利 | CN202110271647.8 | CN113035840A | 2021-06-25 |
2 | 一种栅极电阻可调型超结功率器件及其制造方法 | 发明专利 | CN202110271644.4 | CN113035701A | 2021-06-25 |
3 | 一种沟槽功率器件与源极电容集成及其制造方法 | 发明专利 | CN202011262093.7 | CN112382613A | 2021-02-19 |
4 | 一种沟槽功率器件及其制造方法 | 发明专利 | CN202011264302.1 | CN112382566A | 2021-02-19 |
5 | 一种多层外延减压生长方法 | 发明专利 | CN202011264301.7 | CN112382560A | 2021-02-19 |
6 | 联合封装高端和低端芯片的半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | CN201110310147.7 | CN103035631B | 2015-07-29 |
7 | 制备准谐振变换器的单片IGBT和二极管结构及方法 | 发明专利 | CN201110436059.1 | CN102569297B | 2015-07-15 |
8 | 带有MOSFET和低正向电压的等效二极管增强型JFET的半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | CN201110306022.7 | CN102437187B | 2015-07-01 |
9 | 二维屏蔽栅晶体管器件及其制备方法 | 发明专利 | CN201210418340.7 | CN103094321B | 2015-06-24 |
10 | 一种低导通电阻的功率MOS晶体管器件及其制备方法 | 发明专利 | CN201110305952.0 | CN103021858B | 2015-05-27 |
软件著作权0
作品著作权2
序号 | 作品名 | 作品类别 | 登记号 | 创作完成日期 | 首次发表日期 | 登记批准日期 |
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1 | 重庆万国半导体公司2020标识(图) | - | 国作登字-2020-F-01038969 | - | 2020 | 2020 |
2 | 重庆万国半导体公司中文标识 | - | 国作登字-2020-F-01038358 | - | 2018 | 2020 |
网站备案2
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 重庆万国半导体科技有限公司 | 222.178.193.203 | 渝ICP备18014808号 | 企业 | 2020-06-09 |
2 | 重庆万国半导体科技有限公司 | www.cqaos.com | 渝ICP备18014808号 | 企业 | 2020-06-09 |
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