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  • 万国

    重庆万国半导体科技有限公司

    存续
    • 地址:重庆市北碚区悦复大道288号
    • 简介:-
    • 商标信息 3
    • 专利信息 245
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 2
    • 网站备案 2

    商标信息3

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 图形 42类-网站服务 45696955 商标已注册 2020-04-23 查看
    2 图形 09类-科学仪器 45696954 商标已注册 2020-04-23 查看
    3 图形 40类-材料加工 45696953 商标已注册 2020-04-23 查看

    专利信息245

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种SGT MOSFET器件及其接触孔的制造方法 发明专利 CN202110271647.8 CN113035840A 2021-06-25
    2 一种栅极电阻可调型超结功率器件及其制造方法 发明专利 CN202110271644.4 CN113035701A 2021-06-25
    3 一种沟槽功率器件与源极电容集成及其制造方法 发明专利 CN202011262093.7 CN112382613A 2021-02-19
    4 一种沟槽功率器件及其制造方法 发明专利 CN202011264302.1 CN112382566A 2021-02-19
    5 一种多层外延减压生长方法 发明专利 CN202011264301.7 CN112382560A 2021-02-19
    6 联合封装高端和低端芯片的半导体器件及其制造方法 发明专利 CN201110310147.7 CN103035631B 2015-07-29
    7 制备准谐振变换器的单片IGBT和二极管结构及方法 发明专利 CN201110436059.1 CN102569297B 2015-07-15
    8 带有MOSFET和低正向电压的等效二极管增强型JFET的半导体器件及其制备方法 发明专利 CN201110306022.7 CN102437187B 2015-07-01
    9 二维屏蔽栅晶体管器件及其制备方法 发明专利 CN201210418340.7 CN103094321B 2015-06-24
    10 一种低导通电阻的功率MOS晶体管器件及其制备方法 发明专利 CN201110305952.0 CN103021858B 2015-05-27

    软件著作权0

    暂无信息 暂无软件著作权

    作品著作权2

    序号 作品名 作品类别 登记号 创作完成日期 首次发表日期 登记批准日期
    1 重庆万国半导体公司2020标识(图) - 国作登字-2020-F-01038969 - 2020 2020
    2 重庆万国半导体公司中文标识 - 国作登字-2020-F-01038358 - 2018 2020

    网站备案2

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 重庆万国半导体科技有限公司 222.178.193.203 渝ICP备18014808号 企业 2020-06-09
    2 重庆万国半导体科技有限公司 www.cqaos.com 渝ICP备18014808号 企业 2020-06-09
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